Это старая версия документа!

Разделив диэлектрик внутри конденсатора на тонкие пластинки и считая каждую такую пластинку толщиной \(\Delta x\) плоским конденсатором с однородным диэлектриком, мы можем записать емкость такого конденсатора \[ {\Delta C}=\frac{\varepsilon S}{4\pi \Delta x}. \] Как известно, полная емкость последовательно соединенных конденсаторов тогда равна \[ \frac{1}{C}=\sum{\frac{1}{\Delta C}}, \] или записывая это для бесконечно тонких пластин и заменяя суммирование на интегрирование, получим \[ \begin{split} \frac{1}{C} &=\int {\frac{4\pi dx}{\varepsilon S}} =\frac{4\pi a}{S\varepsilon _0 }\int\limits_0^a {\frac{dx}{\left( {x + a} \right)}} = \frac{4\pi a}{\varepsilon _0 S}\ln \left. {\left( {x + a} \right)} \right|_0^a = \\ &= \frac{4\pi a}{\varepsilon _0 S}\left\{ \ln (2a) - \ln (a) \right\} = \frac{4\pi a}{\varepsilon _0 S}\ln 2, \end{split} \] следовательно \[ C = \frac{{\varepsilon _0 S}}{{4\pi a\ln 2}}. \] Поскольку в объеме диэлектрика нет свободных зарядов, то в самом диэлектрике справедливо уравнение \[ \Div \vec D = 4\pi \rho_\text{своб}=0. \] Так как в задаче мы пренебрегаем краевыми эффектами, то все величины зависят в ней только от \(x\), а компоненты поля \(\vec E\;\; \text{и}\;\;\vec D\) имеют только \(x\)-компоненту, мы далее будем писать только \(E\;\; \text{и}\;\;D \). Из приведенного выше уравнения следует, что \(D=\const\). Из граничного условия для границы металл-диэлектрик \[ D_{1n}-D_{2n} =4\pi \sigma_{\text{своб}} \] для нормали из металла в диэлектрик с учетом того, что \(D_{2n}=0\), получаем \[ D=4\pi\sigma_{\text{своб}}=4\pi Q/S=4\pi C U/S=\frac{U\varepsilon_0}{a \ln 2}. \] Откуда получаем \[ E=\frac{D}{\varepsilon}=\frac{U}{(x+a)\ln 2 } \] Плотность связанных зарядов в объеме определяется соотношением \[ \Div E=4\pi \rho_\text{связ}, \] откуда \[ \rho_\text{связ} = -\frac{{CUa}}{{\varepsilon _0 S}}\frac{1}{{\left( {x + a} \right)^2 }} \] А плотность связанных зарядов на границах металл-диэлектрик определяется из соотношения на границе \[ \sigma_\text{связ}|_{x=0}=\frac{E_{1n}-D_{1n}}{4\pi}=-\frac{CU}{S}\left(1-\frac{1}{\varepsilon_0}\right), \] а \[ \sigma_\text{связ}|_{x=a}=-\frac{E_{1n}-D_{1n}}{4\pi}=\frac{CU}{S}\left(1-\frac{1}{2\varepsilon_0}\right). \]